长鑫科技申请残余离子的测试方法专利，能获取污染层中污染数据

金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“残余离子的测试方法”的专利，公开号CN 119694916 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，提供一种测试方法，测试方法包括：提供衬底；对衬底进行氧化处理，在衬底表面形成氧化层；对氧化层进行气体蚀刻，将氧化层去除，并形成副产物层；对副产物层进行退火，去除副产物层形成污染层；获取污染层中污染数据。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币，实缴资本5363300万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1089次，财产线索方面有商标信息221条，专利信息338条，此外企业还拥有行政许可28个。

本文源自：金融界

作者：情报员