SK海力士首次展示HBM4：12层堆叠，带宽可达2TB/s

近日台积电（TSMC）举办了2025年北美技术论坛，SK海力士也在这次活动上首次公开展示了HBM4技术。台积电与SK海力士就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作，其中台积电将负责生产用于HBM4和HBM4E的基础裸片（Base Die），原本采用N5和N12FFC 工艺，不过应英伟达的要求，会将N5改成更先进的N3工艺。

HBM解决方案是SK海力士在台积电2025年北美技术论坛的重点展示部分，主要是12层堆叠的HBM4和16层堆叠的HBM3E。早在3月，SK海力士已经宣布成为全球首个向主要客户供应HBM4的存储器厂商，并计划2025年下半年完成量产工作。

HBM4属于第六代HBM产品，英伟达将是SK海力士的首个客户，用于明年的Rubin架构数据中心GPU上。SK海力士引入了在HBM3E获得认可的Advanced MR-MUF工艺，从而在现有12层堆叠上达到了最大36GB容量，I/O接口速度达8Gbps，带宽可提高至2TB/s。新工艺不但能控制芯片的翘曲现象，还有效提升了散热性能，由此最大程度地提高了产品的稳定性。

据了解，SK海力士下一步打算带来16层堆叠的HBM4，容量可进一步提高至48GB。