富芯微电子取得一种具有高散热性的功率MOSFET器件散热结构专利

金融界2025年4月28日消息，国家知识产权局信息显示，富芯微电子有限公司取得一项名为“一种具有高散热性的功率MOSFET器件散热结构”的专利，授权公告号 CN 118824968 B，申请日期为2024年7月。

天眼查资料显示，富芯微电子有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本15000万人民币。通过天眼查大数据分析，富芯微电子有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息17条，专利信息114条，此外企业还拥有行政许可16个。

本文源自：金融界

作者：情报员