广州增芯申请半导体结构及其形成方法专利，半导体结构的电容密度得到提升

金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，广州增芯科技有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN 119698007 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底；位于衬底上的衬垫层；位于衬垫层内的若干凹槽，所述凹槽的侧壁表面向所述衬垫层内凹陷；位于若干所述凹槽侧壁表面和底部表面的电容结构，所述电容结构包括若干层电极层和位于相邻两层电极层之间的第一介质层。 所述半导体结构的电容密度得到了提升。

天眼查资料显示，广州增芯科技有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本682000万人民币，实缴资本301000万人民币。通过天眼查大数据分析，广州增芯科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目35次，财产线索方面有商标信息53条，专利信息63条，此外企业还拥有行政许可166个。

本文源自：金融界

作者：情报员