英伟达将于2026年敲定HBM4供应商

英伟达将在2026年一季度完成Rubin GPU所需HBM4 12Hi内存最终质量测试。

据报道,英伟达计划在2026 年一季度完成Rubin GPU所需的HBM4 12Hi内存堆栈最终质量资格测试,届时也将敲定首批HBM4内存供应商。

现在英伟达不急于确认HBM4的供应商,因为在适当程度上延后决策时间有利于三大DRAM内存原厂共同参与HBM4市场,英伟达作为需方将在供方竞争中取得更大定价话语权。

考虑到三星电子因为对英伟达供应HBM3E的持续卡关丢掉了第一大存储介质企业的“王冠”,在英伟达HBM4 12Hi订单中吃下的比例将成为三星、SK 海力士、美光未来一段时间业绩的晴雨表。今年上半年,三星电子在HBM市场的份额大幅下降至17%,而去年同期为41%。同期,SK海力士的份额从55%增至62%,美光的份额从4%增至 21%。

并未延期,Rubin项目仍按原定计划推进

根据此前英伟达创始人兼首席执行官黄仁勋披露的信息,英伟达将在2026年推出Rubin GPU。但是中国台湾地区金融集团富邦旗下分析师在研报中表示,英伟达新一代图形处理器Rubin在台积电的生产进程可能因芯片重新设计而推迟。

分析师Sherman Shang表示:“我们认为Rubin芯片极有可能面临延期。虽然第一版设计已于6月底完成流片,但英伟达目前正对芯片进行重新设计,以更好地匹配AMD即将推出的MI450系列产品。根据最新进度,重新设计的芯片预计将在9月下旬或10月完成流片。基于这一时间节点推算,2026年Rubin芯片的出货量将较为有限。”在半导体制造领域,流片指的是集成电路设计完成验证后交付晶圆厂生产的最终阶段。

对此,英伟达官方予以否认。公司发言人称:“该报道内容不实,Rubin项目仍按原定计划推进。”

目前三大原厂的HBM4进度

今年3月,SK海力士宣布已向英伟达等主要客户交付了其第六代高带宽存储芯片产品——12层HBM4的样品,其每秒可以处理超过2TB的数据,相当于在一秒钟内处理400多部全高清电影的数据,比上一代HBM3E快了60%以上,这种惊人的速度是通过将数据传输走线从1,024条增加到2,048条来实现的。当时SK海力士表示,公司计划在今年下半年完成12层HBM4批量生产的准备工作。今年5月,有报道称,SK海力士将于6月初提供初期量产品,计划在10月进入大规模量产。

今年6月,美光宣布已向多个主要客户交付HBM4 36GB 12 层堆叠样品。其HBM4基于1β DRAM工艺,成熟的12层先进封装技术和高性能内存内置自检功能,为开发下一代AI平台的客户和合作伙伴提供无缝集成。采用2048位接口,每个内存堆栈的速度超过2.0 TB/s,性能比上一代提高了60%以上,能效提升20%以上。美光计划于2026年量产HBM4,与客户下一代AI平台的量产同步。

近日有报道称,三星电子7月月交付给英伟达的HBM4已通过可靠性测试,并有望于本月底实现最终量产。如果最终测试进展顺利,HBM4最早可能于年底开始量产。知情人士透露,三星HBM4的各种质量项目(包括良率等)皆获得了英伟达的正面评价,目前已进入预生产阶段。若预生产测试也通过,估计11月或12月就可量产。

业界认为,英伟达、SK海力士近来谈判HBM产量与报价时陷入拉锯,暗示三星可能即将向英伟达供货。如果三星成功打入英伟达的HBM3E及HBM4供应链,那么2026年的AI内存市场势必会出现重大变化。金融投资行业预测,三星电子明年的HBM销售额增长率可能翻一倍以上。

*声明:本文系原作者创作。文章内容系其个人观点,我方转载仅为分享与讨论,不代表我方赞成或认同,如有异议,请联系后台。

想要获取半导体产业的前沿洞见、技术速递、趋势解析,关注我们!