三星将V9 QLC NAND闪存量产推迟至2026年上半年

V9 QLC NAND对三星的高附加值存储业务至关重要。

据报道，三星已将V9 QLC NAND全面商业化时程推迟至2026年上半年。这一延迟对三星在高容量NAND市场的竞争力构成压力，尤其是在AI产业对数据处理能力提出更高要求之际。

三星V9 NAND采用了280层堆叠设计，并于2024年4月成功量产采用TLC结构的产品，达到1TB容量。为提升存储密度，三星宣布在2024年9月初步转向V9 QLC NAND产品。相较于TLC，QLC NAND能实现更高的存储容量，成为满足现代数据中心和AI应用庞大数据需求的关键技术。

然而，初期产品表现出性能下降的问题，根源在于设计层面。为解决这些瓶颈，三星正在进行设计和制程端的改进工作，预计最快在2026年上半年完成。

为了配合未来量产需求，三星计划扩大V9 NAND生产能力，在平泽园区和中国西安的晶圆厂进行转换投资。尽管具体投资规模尚未确定，预计总生产能力将进一步提升。

V9 QLC NAND对三星的高附加值存储业务至关重要。当前NAND市场因AI产业发展而经历结构性转变，对高容量产品的需求呈爆炸性增长。然而，三星在QLC NAND市场仍停留在V7世代，导致其在该市场相对落后。根据市调机构和外资摩根士丹利的数据，预计2026年全球QLC NAND出货量中，三星占比仅为约9%，远低于SK海力士子公司Solidigm的36%、铠侠和SanDisk的29%以及美光的17%。

韩国半导体业界相关人士指出，三星若想从中受益，必须确保尖端产品的稳定生产。这意味着三星需克服V9 QLC NAND的技术挑战，抓住AI时代带来的市场机遇，并在高容量NAND市场重新确立领先地位。

因此，三星未来数月的改进成果将成为业界关注的焦点。通过解决技术瓶颈、扩大生产能力并加快产品迭代，三星有望在未来几年内大幅提升其在全球QLC NAND市场的份额，从而在快速发展的AI和数据中心领域占据有利位置。这一系列努力不仅有助于提升公司的盈利能力，也将为其长期发展提供强大动力。

铠侠宣布开发出第10代NAND闪存

今年2月，日本铠侠控股宣布开发出了新一代NAND型闪存。代表性能的层数为332层，比以往的218层有所增加。数据传输速度提高33%。读取数据时的电力效率也得到改善，预计将获得面向人工智能（AI）的数据中心等的需求。

铠侠此次开发的是被称为第10代的技术。与目前第8代的218层产品相比，输入数据时的电力效率提高10%，输出时提高34%。单位面积的存储容量提高59%。今后将在日本国内生产，具体时间尚未确定。竞争对手也在开发300层左右的下一代产品。

用于长期存储的NAND一直通过堆叠用于存储数据的元件来提高性能，但存在设备成本上升的课题。除了增加每层芯片的存储容量的技术之外，铠侠还在开发分别制造搭载存储元件的晶圆和写入负责读写等电路的晶圆、之后再将其粘合起来的技术。

SK海力士量产2Tb 3D QLC NAND闪存

SK海力士宣布已开始大规模生产其321层、2Tb 3D QLC NAND存储器设备，这些设备将用于数据中心的超高容量固态硬盘（SSD），容量可达244TB及以上，以及相对廉价的高容量客户端PC驱动器，后者将与一些最佳的SSD展开竞争。

SK海力士表示：“公司全球率先完成300层以上的QLC NAND闪存开发，再次突破了技术极限。该产品在现有的NAND闪存产品中拥有最高的集成度，经过全球客户公司的验证后，计划于明年上半年正式进入AI数据中心市场。”

该产品不仅实现了高容量，而且性能也较以往的QLC产品大幅提升。数据传输速度提高了一倍，写入性能最多提升了56%，读取性能提升了18%。同时，数据写入能效也提高了23%以上，在需要低功耗的AI数据中心等领域也具备了更强的竞争力。

SK海力士计划首先在电脑端固态硬盘（PC SSD）上应用321层NAND闪存，随后逐步扩展到面向数据中心的企业级固态硬盘（eSSD）和面向智能手机的嵌入式存储（UFS）产品。此外，公司也将基于堆叠32个NAND晶片的独有封装技术，实现比现有高出一倍的集成度，正式进入面向AI服务器的超高容量eSSD市场。

SK海力士NAND开发担当郑羽杓副社长表示：“此次产品开始量产，大幅强化了高容量存储产品组合，同时确保了成本竞争力。为了应对迅速增长的AI需求和数据中心市场的高性能要求，我们将作为‘全方位面向AI的存储器供应商’，实现更大的飞跃。”

*声明：本文系原作者创作。文章内容系其个人观点，我方转载仅为分享与讨论，不代表我方赞成或认同，如有异议，请联系后台。

想要获取半导体产业的前沿洞见、技术速递、趋势解析，关注我们！